選擇振蕩器時(shí)需要考慮哪些因素

選擇振蕩器時(shí)需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內(nèi)部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時(shí)，相當(dāng)于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負(fù)載電容，整個(gè)電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負(fù)載電容，相應(yīng)地也需要更多的電流。相比之下，方波輸出晶振報(bào)價(jià)，晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能，范圍可以從低頻（固定）器件的幾個(gè)微安到可編程器件的幾個(gè)毫安。一種低功率的硅振蕩器，如MAX7375，工作在4MHz時(shí)只需不到2mA的電流。在特定的應(yīng)用場合優(yōu)化時(shí)鐘源需要綜合考慮以下一些因素：精度、成本、功耗以及環(huán)境需求。

晶體諧振器與晶體振蕩器的區(qū)別

1，晶體振蕩器的厚度總是高于晶體諧振器。因?yàn)榫w振蕩器內(nèi)部直接置入起振芯片，無需外部元器件幫助起振，自身可以直接起振。

2，由于晶體振蕩器可以依靠自身起振，因此在電子行業(yè)歸類為主動(dòng)元器件，而晶體諧振器需要依靠外部電容電阻起振，稱之為被動(dòng)元器件。

3，晶體振蕩器種類復(fù)雜繁多，可分為以下幾種：普通振蕩器（SPXO）；溫補(bǔ)振蕩器（TCXO）；壓控振蕩器（VCXO），壓控溫補(bǔ)振蕩器（VC-TCXO）；恒溫振蕩器（OCXO）。而晶體諧振器只有一種，就是自身。

4，晶體振蕩器的精度高于晶體諧振器，因此兩者論性能穩(wěn)定度，方波輸出晶振，莫屬晶體振蕩器出眾。晶體振蕩器中的溫補(bǔ)振蕩器較高精度可達(dá)到0.5ppm，晶體諧振器較高精度只能做到5ppm，且為DIP封裝，SMD封裝較高精度僅僅只有10PPM。

5，無疑，晶體振蕩器的成本高于晶體諧振器。

其次，晶體與晶振弄混會(huì)導(dǎo)致哪些誤會(huì)。從上文的分析中我們可以得出結(jié)論，被動(dòng)與主動(dòng)的焊接電路是完全不同的，因晶體振蕩器無需外接電容，晶體諧振器需外接電容電阻，方波輸出晶振原廠，如若兩者混淆采購，方波輸出晶振加工，電路將無法正常起振。

選擇晶體振蕩器的要素

1、外觀檢測。通過檢查外觀看產(chǎn)品外觀標(biāo)記文字是否清晰規(guī)范、外觀表面是否存在裂痕、引腳上是否已經(jīng)焊過錫。如果從外表上發(fā)現(xiàn)了產(chǎn)品不完善，就不應(yīng)拿來使用。

2、頻率。客戶根據(jù)產(chǎn)品需求來選擇適合的頻率，頻率較為重要，不能隨便替換頻率。一定要經(jīng)過合格驗(yàn)證或者測試通過的情況下，再進(jìn)行協(xié)商。如果實(shí)際電路要求的頻率是4.43MHZ，在沒有貨源的情況下，切勿隨便更換差不多的頻率來使用。

3、晶體振蕩器輸出模式。在選用晶體振蕩器時(shí)，要考慮到電路需要的晶體振蕩器輸出類型，一般分電平輸出和差分輸出；電平輸出：CMOS是常用的一種輸出類型，而差分輸出：LVPECL，LVDS常用差分輸出類型。不同的輸出類型之間可不隨便變換，特別是差分跟普通晶體振蕩器。

4、型號(hào)。應(yīng)用晶體振蕩器要看清外殼的型號(hào)標(biāo)記，型號(hào)表明了晶體振蕩器的多項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)，根據(jù)客戶的產(chǎn)品需求來對(duì)應(yīng)產(chǎn)品參數(shù)，而找出我們的型號(hào)。再把詳細(xì)的參數(shù)規(guī)格書發(fā)給客戶確認(rèn)，才能正常出貨。如果晶體振蕩器型號(hào)選擇不當(dāng)，將導(dǎo)致應(yīng)用錯(cuò)誤。

5、晶體振蕩器的代換原則。一個(gè)晶體振蕩器如果損壞了，原則上應(yīng)選用原型號(hào)晶振代換。在沒有原型號(hào)時(shí)，經(jīng)過測試后，可以考慮用其他型號(hào)或其他類型的晶體振蕩器來代換。